Presat de scumpirea componentelor, Samsung caută să excludă Qualcomm din rolul de furnizor al chipseturilor pentru viitoarea serie Galaxy S27, soluția proprie Exynos 2700 urmând să echipeze atât variantele S27, S27+, dar și echipările de top Galaxy S27 Pro and S27 Ultra.

Dar un leak recent, care dezvăluie mai toate specificațiile Exynos 2700, sugerează că nu ar trebui să ne temem de repetarea „momentului” S22 Ultra, când modelul flagship de la Samsung a dezamăgit la mai toate capitolele care contează în ochii fanilor: performanță, temperaturi, consumul de baterie.

Potrivit informațiilor apărute în presa sud-coreeană, Samsung face ultimele pregătiri pentru producția de serie a noilor modele Galaxy S27, așteptate pentru lansare la începutul anului viitor. Și toate indiciile arată că până și Galaxy S27 Ultra va folosi procesorul Exynos 2700.

Deocamdată nu este clar dacă Samsung chiar a reușit să facă noua versiune Exynos atât de competitivă și ușor de fabricat încât să poate înlocui Snapdragon din generația 8, dar s-ar părea că decizia folosirii acestui cip a fost luată cel puțin pentru echipările Galaxy Ultra destinate anumitor piețe de desfacere.

Exynos 2700 are un CPU cu două nuclee principale, un NPU masiv și memorie LPDDR6

Potrivit schiței publicate de SemiAnalysis, Exynos 2700 dispune de un CPU deca-core, GPU Xclipse 970 și un procesor NPU de dimensiuni mari. Se pare că cipul este obținut folosind procesul de 2nm de a doua generație de la Samsung Foundry, numit SF2P.

Cum spuneam, partea de CPU include două nuclee CPU Arm C2 Ultra, bazate pe aceeași arhitectură internă dar cu frecvențe de funcționare diferite (4,24 GHz și, respectiv, 3,36 GHz). Aranjamentul este completat cu opt ARM C2 Pro: patru rulează la 3,74 GHz, iar celelalte patru la 2,88 GHz. Dacă la rivalul Xring 03 de la Xiaomi întâlnim doar nuclee de înaltă performanță, aranjamentul neconvențional cu 2 nuclee de performanță și opt nuclee cu diferite optimizări pentru eficiență ar putea avantaja Exynos 2700 la partea temperaturilor de funcționare și consumul de baterie virgula rămâne de văzut dacă nucleele C2 Ultra se vor dovedi mai performante în testele single core.

Din punct de vedere al arhitecturii de CPU, Exynos 2700 este similar cu cipurile din seria A de la Apple, care utilizează, de asemenea, două nuclee principale. Cipul este ajutat și cu o arhitectură de memorie cache (SLC) de 24 MB, masivă standardele unui procesor de mobil. Acesta e un buffer de memorie situat între CPU, GPU, NPU și memoria principală, responsabil cu gestionarea schimburilor de informație între diversele unității de procesare. Pe lângă SLC-ul de 24 MB, viitorul cip Exynos dispune de patru clustere de memorie cache L3 a câte 4 MB, dedicate procesorului.

Restul că Exynos 2700 dispune de o memorie cache combinată de 40 MB, aproape de memoria cache totală a cipului Xring O3 anunțat recent de Xiaomi și mai mare decât memoria cache de 24 MB găsită la Dimensity 9500 de la MediaTek și Snapdragon 8 Elite Gen 5 de la Qualcomm . Cu toate acestea, rămâne sub memoria cache de 54 MB a Apple A19 Pro.

La partea de GPU, nucleul Xclipse 970 din interiorul Exynos 2700 ocupă o porțiune substanțială a cipului de siliciu și are opt clustere procesoare de grup (WGP) cu câte două unități de calcul (CU) fiecare, însumând 16 CU. Zvonurile susțin că acesta folosește pe arhitectura RDNA 5, care nu a fost încă lansată oficial de AMD și ar putea fi unul dintre cele mai puternice GPU-uri disponibile într-un procesor mobil.

La fel ca predecesorul 2600, Exynos 2700 nu pare că ar include și un modem integrat. Așadar, Samsung va folosi un modem 5G extern pentru capabilități celulare. Componentele Bluetooth, Wi-Fi, GPS și NFC vor fi, de asemenea, probabil oferite prin intermediul unui cip separat. Soluția nu este ideală din punct de vedere al costurilor și eficiența consumului de energie, dar permite alocarea unei suprafețe mai mari a cipului de siliciu pentru maximizarea performanțelor la partea de CPU și GPU.

Cert este că Exynos 2700 se arată a fi cel mai avansat și puternic cip mobil creat vreodată de la Samsung. Tot ce mai rămâne acum este să vedem și dacă testele de performanță vor proba calitățile Exynos 2700.

AMD ar putea lansa un nou procesor Ryzen 5 pentru platforma AM5. Ryzen 5 7500 ar păstra specificațiile modelului 7500F, dar ar primi o placă grafică integrată.

Informația provine de la Roland Quandt. Prețul vehiculat pentru noul procesor este de 230 de euro. AMD nu a confirmat deocamdată existența modelului.

Ryzen 5 7500 ar avea șase nuclee

Potrivit informațiilor apărute online, Ryzen 5 7500 va folosi arhitectura Zen 4. Procesorul ar avea șase nuclee și 12 fire de execuție.

Frecvența de bază ar fi de 3,7 GHz. Frecvența Boost ar ajunge la 5,0 GHz.

Procesorul ar avea 38 MB de cache. Configurația este estimată la 32 MB L3 și 6 MB L2.

TDP-ul ar fi de 65 W. Aceste valori sunt practic identice cu cele ale Ryzen 5 7500F.

AMD Ryzen 5 7500 (no F, no X3D, no nothing) incoming.

AM5 socket

3,7 GHz, up to 5,0 GHz boost

6C/12T

38MB cache in total

65W TDP

~230 Euro

— Roland Quandt (@rquandt.bsky.social) September 4, 2026 at 11:56 PM

Principala diferență este grafica integrată

Litera „F” din denumirea procesorului AMD indică lipsa graficii integrate. Varianta Ryzen 5 7500 ar elimina această particularitate.

Noua versiune ar putea include o soluție Radeon Graphics cu două unități de calcul RDNA 2. Aceasta ar fi suficientă pentru afișarea imaginii și activități obișnuite.

Performanța nu ar fi însă destinată jocurilor moderne. Pentru gaming serios ar fi necesară o placă video dedicată.

Ryzen 5 7500 – Prețul de 230 de euro ridică semne de întrebare

Problema principală este prețul vehiculat pentru Ryzen 5 7500. Roland Quandt indică aproximativ 230 de euro.

Ryzen 5 7500F poate fi găsit în prezent în Germania de la aproximativ 99,90 euro pentru versiunea tray. Alte oferte ajung la aproximativ 105-122 de euro.

Astfel, diferența față de noul model ar fi considerabilă. Un preț de 230 de euro ar plasa Ryzen 5 7500 într-o zonă dificil de justificat.

Există totuși câteva explicații posibile. Varianta fără „F” ar putea fi comercializată în format retail și cu un cooler inclus.

Ryzen 5 7500F este disponibil în principal ca procesor tray, fără cooler. Pe piață există însă și versiuni boxed ale modelului 7500F, astfel că diferența de preț nu poate fi explicată doar prin ambalaj.

Ryzen 5 7500F a devenit mult mai ieftin

Ryzen 5 7500F a fost lansat la 179 de dolari. Prețul actual este însă mult mai mic în anumite piețe.

În Germania, ofertele pentru versiunea tray pornesc de la aproximativ 99,90 euro. Prețurile diferă în funcție de comerciant și de tipul pachetului.

În România, Ryzen 5 7500F poate fi găsit în prezent și la aproximativ 650-700 de lei, în funcție de magazin.

În aceste condiții, un Ryzen 5 7500 la 230 de euro ar avea o poziționare dificilă.

Modelul ar concura cu procesoare mai noi

La aproximativ 230 de euro, Ryzen 5 7500 ar intra într-o zonă în care există procesoare mai performante.

Ryzen 5 9600X este un model Zen 5 mai nou și oferă performanțe superioare. În testele PassMark disponibile la începutul lunii septembrie, acesta depășește clar Ryzen 5 7500F.

Un alt model relevant este Ryzen 5 7500X3D. Acesta beneficiază de tehnologia 3D V-Cache și este orientat în special către gaming.

Din acest motiv, prețul de 230 de euro ar putea fi doar o valoare de lansare. AMD are obiceiul de a ajusta prețurile procesoarelor după apariția pe piață.

Lansarea Ryzen 5 7500 rămâne neconfirmată

Deocamdată, AMD nu a anunțat oficial noul Ryzen 5. Nici data lansării și nici disponibilitatea globală nu sunt cunoscute.

Informațiile actuale provin din scurgeri de informații. Prețul de 230 de euro trebuie, de asemenea, tratat ca o estimare.

Dacă AMD va lansa procesorul, avantajul principal față de 7500F va fi grafica integrată. Pentru utilizatorii care nu au nevoie de o placă video dedicată, această diferență poate fi importantă.

Compania chineză Naura Technology Group susține că a dezvoltat un proces de gravare în două etape pentru producția de memorii 3D DRAM. Metoda ar permite prelucrarea uniformă a unor structuri formate din 64 de perechi de straturi.

Dacă rezultatele pot fi transferate într-un proces de producție la scară largă, tehnologia ar putea ajuta producătorii chinezi de memorii să crească densitatea fără să depindă în aceeași măsură de litografia EUV. Naura își prezintă rezultatele într-o lucrare publicată în cadrul IEEE.

3D DRAM mută accentul spre structurile verticale

Memoriile DRAM tradiționale se bazează în principal pe reducerea dimensiunilor elementelor în plan orizontal. Această abordare devine tot mai dificilă pe măsură ce producătorii încearcă să crească densitatea celulelor.

3D DRAM propune o abordare diferită. Celulele de memorie sunt dispuse pe mai multe niveluri, ceea ce permite creșterea densității prin stivuire verticală.

Cercetarea în domeniu urmărește de mai mult timp această direcție. Un studiu prezentat în cadrul IEEE în 2024 descrie 3D DRAM ca o posibilă soluție pentru limitările de scalare ale memoriei convenționale.

Pentru China, această direcție are o importanță suplimentară. Accesul producătorilor locali la cele mai avansate echipamente EUV este limitat de restricțiile comerciale occidentale.

Naura lucrează cu straturi de siliciu și siliciu-germaniu

Procesul prezentat de Naura este destinat unei structuri alcătuite din straturi alternative de siliciu (Si) și siliciu-germaniu (SiGe).

În timpul fabricării, straturile de SiGe trebuie îndepărtate selectiv. Spațiile rezultate sunt folosite ulterior pentru realizarea unor componente ale celulelor de memorie.

Operațiunea este dificilă în structuri cu un număr mare de niveluri. Substanțele utilizate pentru gravare pot afecta și straturile de siliciu care trebuie păstrate.

O altă problemă este acumularea produselor secundare în partea inferioară a structurii. Acestea pot împiedica substanțele de gravare să ajungă în mod uniform la straturile aflate mai jos.

Procesul folosește două etape

Naura spune că a abordat aceste probleme printr-un proces de gravare ciclic în două etape.

În prima etapă sunt utilizați radicali de fluor neutri din punct de vedere electric. Aceștia acționează selectiv asupra straturilor de SiGe și formează, potrivit companiei, o peliculă protectoare pe suprafața siliciului.

A doua etapă are rolul de a elimina produsele secundare rezultate în urma reacției. Naura utilizează un proces de curățare asistat de plasmă pentru a reduce efectul de microîncărcare și pentru a facilita accesul substanțelor către straturile inferioare.

Selectivitate de peste 500:1

Unul dintre cele mai importante rezultate prezentate de companie este raportul de selectivitate dintre SiGe și Si.

Naura susține că procesul depășește un raport de 500:1. Asta înseamnă că SiGe este îndepărtat de peste 500 de ori mai rapid decât siliciul în condițiile testate.

Compania afirmă și că pierderea de siliciu rămâne sub 10 angstromi, adică aproximativ un nanometru. Rezultatul este relevant pentru păstrarea dimensiunilor structurii în timpul gravării.

Naura mai susține că a obținut o uniformitate structurală de peste 95% pe 64 de perechi de straturi. În exemplul prezentat, o structură de 200 de nanometri în partea superioară ar păstra cel puțin 190 de nanometri în partea inferioară.

Posibile implicații pentru CXMT

Tehnologia ar putea fi relevantă pentru producătorii chinezi de memorii, inclusiv pentru ChangXin Memory Technologies (CXMT).

În cazul în care procesul poate fi integrat într-o linie de producție, gravarea verticală ar putea oferi o alternativă pentru creșterea densității memoriei. Aceasta ar reduce importanța scalării strict orizontale, domeniu în care accesul la echipamentele de ultimă generație reprezintă o problemă pentru China.

Totuși, rezultatele prezentate de Naura nu înseamnă că producția comercială de 3D DRAM este deja posibilă. Trecerea de la o demonstrație de proces la producția în volum presupune validări suplimentare, integrarea mai multor etape de fabricație și obținerea unor randamente stabile.

Prin urmare, progresul anunțat de Naura este mai degrabă un pas în dezvoltarea tehnologiei decât o dovadă că producătorii chinezi au depășit deja toate limitările impuse de lipsa echipamentelor EUV.