CXMT, cel mai mare producător chinez de memorii RAM, ar fi urmărit încă de la început să folosească proprietate intelectuală obținută ilegal de la Samsung pentru dezvoltarea propriilor procese de fabricație.
Informația provine din declarațiile făcute într-un tribunal sud-coreean de Jeon, fost inginer Samsung care a lucrat 28 de ani pentru companie înainte de a se alătura CXMT în jurul anului 2016. Potrivit mărturiei sale, conducerea CXMT nu intenționa să dezvolte de la zero propria tehnologie DRAM, compania neavând la momentul înființării infrastructura de cercetare necesară.
Jeon susține că obținerea tehnologiilor Samsung ar fi făcut parte din strategia inițială și nu doar o oportunitate apărută ulterior. Fostul inginer a fost condamnat în aprilie la șapte ani de închisoare, după ce a obținut ilegal un Process Recipe Plan cu peste 600 de etape de fabricație, axat inclusiv pe procesul RAM Samsung de clasă 18 nm.
Documentația include informații esențiale despre ordinea operațiunilor, depunere și gravare, temperaturi, presiuni și echipamentele utilizate. O asemenea „rețetă” nu este suficientă pentru copierea directă a unui proces, deoarece sunt necesare echipamente compatibile, ajustări și informații suplimentare despre arhitectura tranzistorilor, măști și dimensiuni.
Totuși, combinată cu reverse engineering, aceasta poate elimina ani întregi de încercări și optimizări. Dezvoltarea unui nou nod de fabricație pentru memorii RAM durează în mod normal între trei și cinci ani, iar Samsung ar fi petrecut aproximativ cinci ani pentru propriul proces de 18 nm. CXMT a început producția DDR4 pe un proces de 22 nm în 2019, iar în 2023 a trecut la 18 nm.
Instanța sud-coreeană a stabilit deja că proprietate intelectuală Samsung a fost furată pentru a accelera dezvoltarea capacităților de producție ale companiei chineze, însă nu este clar în ce măsură tehnologia respectivă a contribuit la fiecare dintre generațiile de memorii CXMT.
Via Tom’s Hardware